Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
NSBA114EF3T5G
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
NSBA114EF3T5G Hakkında
NSBA114EF3T5G, onsemi tarafından üretilen PNP ön beslemeli (pre-biased) bipolar junction transistördür. SOT-1123 yüzey montajlı paket içinde sunulan bu bileşen, entegre edilmiş temel direnç ağına (10kΩ base ve emitter-base dirençleri) sahiptir. 50V maksimum collector-emitter voltajı, 100mA maksimum akım ve 254mW güç dağılımı özellikleriyle, düşük güç anahtarlama ve sinyal işleme uygulamalarında kullanılır. 35 (minimum) DC akım kazancı ve 250mV satürasyon voltajı (10mA collector akımında) ile sürücü devreler, mantık seviyesi kontrolü ve timing uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-1123 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 254 mW |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-1123 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok