Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
NSBA114EDXV6T5
TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
NSBA114EDXV6T5 Hakkında
NSBA114EDXV6T5, onsemi tarafından üretilen dual PNP ön beslemeli transistördür. SOT-563 (SOT-666) SMD paketinde sunulan bu bileşen, entegre base ve emitter rezistörleri (her biri 10kΩ) ile önceden ayarlanmış yapıya sahiptir. Maksimum 100mA kolektör akımı, 50V Vce breakdown voltajı ve 500mW güç derecelendirmesi ile düşük sinyal anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Vce doyum voltajı 250mV (@300µA, 10mA) olup, 35 minimum DC akım kazancı (hFE) sağlar. Audio amplifikaları, kütüphane devre tasarımları, düşük güç anahtarlama devreleri ve sinyal işleme uygulamalarında tercih edilir. Ön beslemeli yapısı sayesinde hızlı devreye girme süresi ve kararlı DC çalışma noktası sunmaktadır. Bileşen şu anda üretim dışı (obsolete) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 500mW |
| Resistor - Base (R1) | 10kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-563 |
| Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok