Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
NSBA114EDP6T5G
TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963
NSBA114EDP6T5G Hakkında
NSBA114EDP6T5G, onsemi tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) dual PNP transistördür. SOT-963 yüzey montajlı paket içerisinde 2 adet PNP transistör barındıran bu bileşen, maksimum 50V collector-emitter gerilimi ve 100mA collector akımıyla çalışır. Her transistör entegre olarak 10kΩ base ve 10kΩ emitter-base dirençlerine sahiptir. 250mV maksimum doyum gerilimi ve 500nA maksimum cutoff akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 338mW maksimum güç harcaması ile sürücü devreleri, switching uygulamaları ve sinyal işleme devreleri tasarımlarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-963 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 338mW |
| Resistor - Base (R1) | 10kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-963 |
| Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok