Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
NSBA113EF3T5G
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
NSBA113EF3T5G Hakkında
NSBA113EF3T5G, onsemi tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) PNP bipolar transistörüdür. SOT-1123 yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, 50V maksimum Vce derecelendirmesi ve 100mA maksimum kolektör akımı ile çalışır. Entegre 1kΩ bazı ve emiter dirençleriyle tasarlanan bu transistör, 254mW maksimum güç tüketimi ile anahtarlama ve sinyal işleme uygulamalarında kullanılır. 250mV maksimum Vce doyum gerilimi ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. Düşük kolektör kesme akımı (500nA), sızıntı akımının minimal olduğu uygulamalar için uygundur. Tüketici elektroniği, endüstriyel kontrol ve sensör arayüzü devrelerinde yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 3 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-1123 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 254 mW |
| Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 1 kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-1123 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok