Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
NSBA113EDXV6T1G
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT563
NSBA113EDXV6T1G Hakkında
NSBA113EDXV6T1G, onsemi tarafından üretilen dual PNP ön beslemeli transistör dizisidir. SOT-363 (6-TSSOP, SC-88) SMD paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 100mA kolektör akımı ve 250mW güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. Her bir transistör, 1kΩ taban ve emitter-taban dirençleri ile ön beslenmiştir. Vce doyum gerilimi maksimum 250mV @ 10mA'da ölçülmektedir. 50V maksimum kopma gerilimi ile düşük sinyalli anahtarlama ve sinyal ayırma uygulamalarında kullanılır. Geniş bant genişliği ve hızlı anahtarlama özellikleri ile lojik seviye dönüştürme, darbe kontrol ve düşük güç sinyal işleme devrelerinde tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 3 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 250mW |
| Resistor - Base (R1) | 1kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 1kOhms |
| Supplier Device Package | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok