Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

NSB9435T1G

TRANS PREBIAS PNP 30V 3MA SOT223

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-261-4
Seri / Aile Numarası
NSB9435

NSB9435T1G Hakkında

NSB9435T1G, onsemi tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) bipolar junction transistördür. SOT-223 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 30V collector-emitter gerilimi ve 3A collector akımı ile çalışabilir. Entegre 10kΩ base direnci sayesinde harici direnç ihtiyacını azaltır. 110 MHz transition frekansı ve 720mW maksimum güç dissipasyonu kapasitesi ile düşük sinyal ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Dc current gain 125 (800mA, 1V'de) olup, hassas gerilim seviyesi algılama, sürücü devreleri ve lojik seviye kaydırma uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 3 A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 125 @ 800mA, 1V
Frequency - Transition 110 MHz
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Part Status Active
Power - Max 720 mW
Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Supplier Device Package SOT-223 (TO-261)
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 550mV @ 300mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok