Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
NSB8MTHE3/81
DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NSB8MTHE3
NSB8MTHE3/81 Hakkında
NSB8MTHE3/81, Vishay tarafından üretilen 1000V 8A kapasitesindeki genel amaçlı doğrultma diyotudur. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montajlı paket içinde sunulan bu komponent, güç uygulamalarında doğrultucu ve koruma devresi olarak kullanılır. Maximum 1.1V forward voltajı ile düşük enerji kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında ve 10µA reverse leakage current ile standart recovery hızına sahiptir. Anahtarlama güç kaynakları, adaptörler ve endüstriyel doğrultma uygulamalarında tercih edilir. Standard recovery karakteristiği (>500ns) ile genel amaçlı kullanım için uygun tasarımlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 55pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 8A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 1000 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Market |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-263AB (D²PAK) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1 V @ 8 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok