Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
NSB8KTHE3_B/P
DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NSB8KTHE3
NSB8KTHE3_B/P Hakkında
NSB8KTHE3_B/P, Vishay tarafından üretilen 800V ters gerilim kapasitesine sahip 8A ortalama doğrultulmuş akım özelliklerine sahip genel amaçlı doğrultma diyodudur. TO-263AB (D²Pak) yüzey montajlı paket içerisinde sunulan bu bileşen, 1.1V forward voltaj değerinde çalışır. -55°C ile +150°C arasında geniş sıcaklık aralığında kullanılabilir. Standard recovery karakteristiği 500ns üzeri, >200mA koşullarında gösterilir. 10µA ters akış özelliği 800V'da tanımlanmıştır. Anahtarlama güç kaynakları, adaptörler ve endüstriyel uygulamalar gibi yüksek gerilim doğrultma işlemlerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 55pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 8A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 800 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-263AB (D²PAK) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 800 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1 V @ 8 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok