Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
NSB8GTHE3_B/P
DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NSB8GTHE3
NSB8GTHE3_B/P Hakkında
NSB8GTHE3_B/P, Vishay tarafından üretilen 400V 8A kapasiteli genel amaçlı doğrultma diyodudur. TO-263AB (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, anahtarlama uygulamalarında, güç kaynakları, inverterler ve AC/DC dönüştürücülerde kullanılır. 1.1V forward voltaj düşümü ve 10µA reverse leakage akımı ile verimli doğrultma sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu diyot, standart recovery hızına sahip olup 500ns'den büyük recovery time sunmaktadır. Kompakt paket tasarımı ve yüksek akım kapasitesi sayesinde darbe güç uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 55pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 8A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 400 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-263AB (D²PAK) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 400 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1 V @ 8 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok