Transistörler - FET, MOSFET - RF
NPT1012B
HEMT N-CH 28V 25W DC-4000MHZ
- Üretici
- MACOM Technology Solutions
- Paket/Kılıf
- —
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- NPT1012B
NPT1012B Hakkında
NPT1012B, MACOM tarafından üretilen bir HEMT (High Electron Mobility Transistor) N-kanal RF transistörüdür. 28V test voltajında 25W güç yönetimi kapasitesi ile tasarlanmış olup, DC'den 4GHz'e kadar çalışma frekans aralığına sahiptir. 13dB kazanç değeri ile RF amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 100V derecelendirilmiş voltaj ile yüksek gerilim toleransı sunar. Uydu haberleşme sistemleri, radarlar, kablosuz iletişim cihazları ve endüstriyel RF uygulamalarında yaygın olarak tercih edilen bir transistördür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 225 mA |
| Frequency | 0Hz ~ 4GHz |
| Gain | 13dB |
| Part Status | Active |
| Transistor Type | HEMT |
| Voltage - Rated | 100 V |
| Voltage - Test | 28 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok