Transistörler - FET, MOSFET - RF

NPT1010B

HEMT N-CH 28V 100W DC-2000MHZ

Paket/Kılıf
Seri / Aile Numarası
NPT1010B

NPT1010B Hakkında

NPT1010B, MACOM Technology Solutions tarafından üretilen HEMT (High Electron Mobility Transistor) türü N-kanallı RF transistörüdür. DC'den 2 GHz'e kadar frekans aralığında çalışabilen bu bileşen, 28V test gerilimi altında 100W güç seviyesinde tasarlanmıştır. 19.7 dB kazanç ve 700 mA test akımı özellikleriyle RF ve mikrodalga uygulamalarında kullanılır. Yüksek frekans haberleşe sistemleri, radar, güç amplifikasyonu ve base station uygulamalarında yer alabilir. Komponent obsolete (üretimi sonlandırılmış) durumundadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Test 700 mA
Frequency 0Hz ~ 2GHz
Gain 19.7dB
Part Status Obsolete
Transistor Type HEMT
Voltage - Rated 100 V
Voltage - Test 28 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok