Transistörler - FET, MOSFET - RF
NPT1007B
TRANSISTOR GAN DC-1200MHZ 200W
- Üretici
- MACOM Technology Solutions
- Paket/Kılıf
- —
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- NPT1007B
NPT1007B Hakkında
NPT1007B, MACOM tarafından üretilen GaN (Gallium Nitride) tabanlı HEMT transistördür. DC-1200MHz frekans aralığında çalışan bu RF transistörü, 200W çıkış gücüne sahiptir. 28V test voltajında 1,4A test akımı ile 18,3dB kazanç sağlar. 100V derecelendirilmiş voltaj ve 20,5A akım kapasitesi ile tasarlanmıştır. Yüksek frekanslı güç amplifikasyonu, radar sistemleri, uydu haberleşesi, askeri ve havacılık uygulamalarında kullanılır. HEMT mimarisi sayesinde yüksek verimlilik ve düşük gürültü özellikleri sunar. Söz konusu ürün eski tip (Obsolete) olarak sınıflandırılmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 1.4 A |
| Current Rating (Amps) | 20.5A |
| Frequency | 900MHz |
| Gain | 18.3dB |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Output | 53dBm |
| Transistor Type | HEMT |
| Voltage - Rated | 100 V |
| Voltage - Test | 28 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok