Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
NP30N04QUK-E1-AY
POWER TRS2 AUTOMOTIVE MOS 8P HSO
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- 8-PowerLDFN
- Seri / Aile Numarası
- NP30N04QUK
NP30N04QUK-E1-AY Hakkında
NP30N04QUK-E1-AY, Renesas Electronics tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilim ve 30A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile otomotiv uygulamalarında güç anahtarlaması ve motor kontrolü gibi görevlerde kullanılır. 8mOhm on-state direnç (Rds On) ile düşük enerji kaybı sağlar. PowerLDFN 8-pin paket içerisinde iki adet MOSFET barındırır. -40°C ile +175°C arasında çalışan bu bileşen, otomotiv sektöründe yaygın olarak uygulanır. Gate charge 41nC olup, 4V eşik gerilimi ile hızlı anahtarlama özelliği sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 41nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2400pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C |
| Package / Case | 8-PowerLDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1W (Ta), 59W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-HSON (5x5.4) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok