Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

NP29N06QUK-E1-AY

ABU / MOSFET

Paket/Kılıf
8-PowerLDFN
Seri / Aile Numarası
NP29N06QUK

NP29N06QUK-E1-AY Hakkında

NP29N06QUK-E1-AY, Renesas Electronics tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistör dizisidir. 60V drain-source voltaj ve 30A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle motor kontrol, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 21mOhm maksimum on-state direnci düşük güç kaybı sağlar. 8-HSON (5x5.4) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, 175°C maksimum işletme sıcaklığına kadar çalışır ve gücü verimli şekilde yönetir. Endüstriyel kontrol sistemleri, pil yönetimi, LED sürücüler ve DC/DC dönüştürücü uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
FET Feature Standard
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1500pF @ 25V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 175°C
Package / Case 8-PowerLDFN
Part Status Active
Power - Max 1W (Ta), 44W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package 8-HSON (5x5.4)
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok