Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
NP29N06QDK-E1-AY
ABU / MOSFET
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- 8-PowerLDFN
- Seri / Aile Numarası
- NP29N06QDK
NP29N06QDK-E1-AY Hakkında
NP29N06QDK-E1-AY, Renesas Electronics tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistör dizisidir. 60V drain-source voltaj ve 30A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 20mOhm on-resistance değeri ile düşük konma kaybı sağlar. 8-pin PowerLDFN (5x5.4mm) surface mount paketinde sunulur. Motor kontrol, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama regülatör devrelerinde yaygın olarak uygulanır. İleri iletim sıcaklığında 175°C'ye kadar çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1500pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C |
| Package / Case | 8-PowerLDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1W (Ta), 44W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-HSON (5x5.4) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok