Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
NP29N04QUK-E1-AY
ABU / MOSFET
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- 8-PowerLDFN
- Seri / Aile Numarası
- NP29N04QUK
NP29N04QUK-E1-AY Hakkında
NP29N04QUK-E1-AY, Renesas Electronics tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilimi ile 30A sürekli drenaj akımı sağlayabilir. 10.1mΩ @ 10V Vgs ve 15A Id'de düşük gate charge (29nC) sayesinde yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Surface mount 8-PowerLDFN (5x5.4mm) paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi, DC-DC konvertörler, motor sürücüleri ve batarya yönetim sistemlerinde tercih edilir. -40°C ile +175°C işletme sıcaklığı aralığında stabil çalışır. 44W (Tc) maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile kompakt tasarımda güç uygulamalarına uygun bir çözümdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1500pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C |
| Package / Case | 8-PowerLDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1W (Ta), 44W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.1mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-HSON (5x5.4) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok