Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
NP16N06QLK-E1-AY
POWER TRANSISTOR AUTOMOTIVE MOS
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- 8-PowerLDFN
- Seri / Aile Numarası
- NP16N06QLK
NP16N06QLK-E1-AY Hakkında
NP16N06QLK-E1-AY, Renesas Electronics tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltajında 16A sürekli drenaj akımını destekler ve otomotiv uygulamaları için tasarlanmıştır. 39mOhm RDS(on) değeri ile düşük kayıplar sağlar. Surface Mount 8-HSON pakette sunulan bu bileşen, motor kontrol, anahtarlama devre uygulamaları, güç yönetimi ve otomoşyon sistemlerinde kullanılır. -40°C ile +175°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 750pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C |
| Package / Case | 8-PowerLDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1W (Ta), 25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 39mOhm @ 8A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-HSON (5x5.4) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok