Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
NJVNJD1718T4G
TRANS PNP 50V 2A DPAK
NJVNJD1718T4G Hakkında
NJVNJD1718T4G, onsemi tarafından üretilen PNP tipinde bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount DPAK (TO-252-3) paketinde sunulan bu transistör, maksimum 50V collector-emitter gerilimi ve 2A collector akımı ile çalışır. 80MHz transition frequency'si ile orta hız uygulamalarında kullanılmaya uygundur. DC current gain (hFE) değeri 500mA, 2V'te minimum 70'tir. Maksimum güç dağılımı 1.68W olup, -65°C ile 150°C arasında sıcaklık aralığında çalışır. Vce saturation değeri 500mV (50mA, 1A'de) olan bu bileşen, anahtar ve amplifikasyon devrelerinde, ses amplifikatörleri, güç kontrol sistemleri ve genel elektronik uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 500mA, 2V |
| Frequency - Transition | 80MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.68 W |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok