Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

NJVMJD47T4G

TRANS NPN 250V 1A DPAK-4

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
NJVMJD47T4G

NJVMJD47T4G Hakkında

NJVMJD47T4G, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount DPAK (TO-252-3) paketinde sunulan bu transistör, 250V collector-emitter breakdown voltajı ve 1A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmaktadır. 1.56W maksimum güç dissipasyonu kapasitesine sahip bileşen, 10MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemlerinde yer alır. 30 minimum DC current gain (hFE), 1V maksimum saturation voltajı ve 200µA maksimum cutoff akımı parametreleri ile kontrol devreleri, aydınlatma uygulamaları, ses amplifikatörleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -65°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 1 A
Current - Collector Cutoff (Max) 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition 10MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power - Max 1.56 W
Supplier Device Package DPAK
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 200mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 250 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok