Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
NJVMJD45H11D3T4G
MJD45H11 - 8 A, 80 V PNP POWER B
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Seri / Aile Numarası
- MJD45H11
NJVMJD45H11D3T4G Hakkında
MJD45H11 8 Amper, 80 Volt PNP güç transistörüdür. Surface mount TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, yüksek akım uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon görevlerini yerine getirir. 20W maksimum güç yayılımı kapasitesi ve 90MHz transition frequency ile hızlı işlem gerektiren devrelerde kullanılır. Motor kontrol, güç kaynakları, ses amplifikatörleri ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında stabil çalışma sağlar. Minimum 40 hFE kazancı ve 1V saturasyon voltajı ile verimli anahtar çalışması gerçekleştirir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 8 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 4A, 1V |
| Frequency - Transition | 90MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 20 W |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 400mA, 8A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok