Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

NJVMJD44H11G

TRANS NPN 80V 8A DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
NJVMJD44H11G

NJVMJD44H11G Hakkında

NJVMJD44H11G, Rochester Electronics tarafından üretilen yüksek akım kapasiteli NPN bipolar junction transistördür. TO-252-3 (DPak) yüzey montajlı paket ile sunulan bu transistör, maksimum 8A kolektör akımı ve 80V kolektor-emitter gerilimi ile tasarlanmıştır. 1.75W güç disipasyonuna ve 85MHz geçiş frekansına sahiptir. DC akım kazancı (hFE) 4A akımda minimum 40 değerindedir. -55°C ile +150°C aralığında çalışabilir. Güç yönetimi, motor sürücüleri, röle kontrol devreleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Düşük saturasyon gerilimi (1V) ve kompakt DPak paket tasarımı, yoğun yerleştirme gerektiren endüstriyel ve tüketici elektronikleri uygulamaları için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 8 A
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition 85MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power - Max 1.75 W
Supplier Device Package DPAK
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 400mA, 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok