Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
NJVMJD44H11D3T4G
IC TRANS NPN 80V 8A DPAK-3
NJVMJD44H11D3T4G Hakkında
NJVMJD44H11D3T4G, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistörrün (BJT) yüksek akım versiyonudur. 80V maksimum collector-emitter breakdown voltajı ve 8A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 20W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ve 85MHz transition frequency ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarına uygundur. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Motor sürücüleri, güç kaynakları, ses amplifikatörleri ve endüstriyel denetim devreleri gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 8 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 4A, 1V |
| Frequency - Transition | 85MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 20 W |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 400mA, 8A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok