Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
NJVMJD44H11D3T4G
MJD44H11 - 8 A, 80 V NPN BIPOLAR
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Seri / Aile Numarası
- MJD44H11
NJVMJD44H11D3T4G Hakkında
MJD44H11 yüksek akım kapasiteli NPN bipolar junction transistördür. 8 A collector akımı ve 80 V collector-emitter breakdown voltajı ile orta güçlü uygulamalarda kullanılmaya uygundur. 20 W maksimum güç dissipation kapasitesi ile motor kontrolü, güç anahtarlama, amplifikasyon ve inverter devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. Surface mount DPAK (TO-252) paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 85 MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemlerine destek verir. 1V saturation voltajı ile düşük enerji kaybı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 8 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 4A, 1V |
| Frequency - Transition | 85MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 20 W |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 400mA, 8A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok