Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
NJVMJD32T4G
TRANS PNP 40V 3A DPAK
NJVMJD32T4G Hakkında
NJVMJD32T4G, onsemi tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-252-3 DPak paket içerisinde sağlanan bu transistör, 40V collector-emitter gerilimi ve 3A maksimum collector akımı ile çalışabilir. 1.56W maksimum güç dağıtım kapasitesine sahiptir. DC akım kazancı (hFE) 3A, 4V'de minimum 10 değerine ulaşır. 3MHz transition frekansı ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Doyum durumunda 1.2V Vce değeri ile verimli anahtarlama özellikleri sunar. -65°C ile +150°C arasında çalışan bu bileşen, güç amplifikasyonu, anahtarlama devreleri ve komplementer çıkış uygulamalarında tercih edilir. Surface mount montaj tipi sayesinde otomatik üretim proseslerine uyundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 10 @ 3A, 4V |
| Frequency - Transition | 3MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.56 W |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.2V @ 375mA, 3A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok