Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
NJVMJD32CT4G-VF01
TRANS PNP 100V 3A DPAK
NJVMJD32CT4G-VF01 Hakkında
NJVMJD32CT4G-VF01, onsemi tarafından üretilen PNP bipolar junction transistördür. Maksimum 3A kollektör akımı ve 100V kollektör-emitter kırılma gerilimi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketlemesiyle kompakt devreler için uygundur. 1.56W maksimum güç disipasyonu kapasitesi ve -65°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı, endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında transistör anahtarlama, güç yönetimi ve amplifikasyon devrelerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 20µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 10 @ 3A, 4V |
| Frequency - Transition | 3MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power - Max | 1.56 W |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.2V @ 375mA, 3A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok