Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
NJVMJD31T4G
TRANS NPN 40V 3A DPAK
NJVMJD31T4G Hakkında
NJVMJD31T4G, onsemi tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-252-3 (DPak) surface mount paketinde sunulan bu transistör, maksimum 40V collector-emitter gerilimi ve 3A collector akımı ile çalışabilir. 1.56W güç dağıtım kapasitesine sahip olan bileşen, düşük frekans uygulamalarında (3MHz transition frequency) kullanılır. -65°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sunar. Düşük hFE değeri (10 @ 3A, 4V) ve 1.2V maksimum Vce saturation voltajı ile güç yönetimi uygulamalarında, anahtarlama devrelerinde ve genel amaçlı amplifikasyon tasarımlarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 10 @ 3A, 4V |
| Frequency - Transition | 3MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.56 W |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.2V @ 375mA, 3A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok