Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
NJVMJD31CT4G-VF01
BIPOLAR NPN 3A 100V TRANSISTOR
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Seri / Aile Numarası
- NJVMJD31CT4G
NJVMJD31CT4G-VF01 Hakkında
NJVMJD31CT4G-VF01, Rochester Electronics tarafından üretilen bir NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, Surface Mount DPAK (TO-252-3) paketinde sunulmaktadır. 100V maksimum collector-emitter gerilimi ve 3A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanıma elverişlidir. 1.56W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde, özellikle güç sürücüleri, motor kontrol sistemleri ve endüstriyel kontrol uygulamalarında tercih edilir. -65°C ile +150°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığına sahip olması, zorlu çevre koşullarındaki uygulamalarda güvenilir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 25 @ 1A, 4V |
| Frequency - Transition | 3MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.56 W |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.2V @ 375mA, 3A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok