Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
NJVMJD31CT4G-VF01
TRANS NPN 100V 3A DPAK
NJVMJD31CT4G-VF01 Hakkında
NJVMJD31CT4G-VF01, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, yüksek akım kapasitesi ve orta gerilim uygulamaları için tasarlanmıştır. 100V maksimum Vce (Collector-Emitter) gerilimi ve 3A maksimum collector akımı ile donatılmıştır. Surface Mount TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu transistör, 1.56W maksimum güç tüketimine sahiptir. DC current gain değeri 1A, 4V koşullarında 25 ile karakterizedir. -65°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Motor sürücüleri, güç anahtarlamaları, yükselticiler (boost converter) ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Düşük frekans anahtarlama devreleri için uygun bir seçenektir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 25 @ 1A, 4V |
| Frequency - Transition | 3MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.56 W |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.2V @ 375mA, 3A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok