Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
NJVMJD31CT4G
TRANS NPN 100V 3A DPAK
NJVMJD31CT4G Hakkında
NJVMJD31CT4G, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar transistördür. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 100V maksimum Vce ve 3A maksimum collector akımı ile çalışır. 1.56W güç dissipasyonu kapasitesine sahiptir. 3MHz transition frequency ve 25 minimum DC current gain özellikleriyle, düşük hızlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. -65°C ile 150°C arasında çalışan bu transistör, endüstriyel kontrol, güç yönetimi, ses amplifikasyon ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde tercih edilir. Aktif üretim durumunda olan komponent, geniş çalışma sıcaklık aralığı sayesinde zorlu ortam koşullarına uyum sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 25 @ 1A, 4V |
| Frequency - Transition | 3MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.56 W |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.2V @ 375mA, 3A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok