Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

NJVMJD3055T4G

TRANS NPN 60V 10A DPAK-4

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
NJVMJD3055

NJVMJD3055T4G Hakkında

NJVMJD3055T4G, onsemi tarafından üretilen yüksek akım NPN bipolar transistördür. 60V maksimum kolektor-emiter gerilimi ve 10A maksimum kolektor akımı ile tasarlanan bu bileşen, güç amplifikasyon ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Surface mount DPAK paket ile PCB entegrasyonuna uygun olan transistör, geniş çalışma sıcaklık aralığında (-55°C ile 150°C arası) stabil performans sunar. 2MHz transition frequency özelliği ile orta hızlı anahtarlama işlemlerine müsaittir. Endüstriyel kontrol, motor sürücüleri, güç kaynakları ve ses amplifikasyon devrelerinde yaygın olarak uygulanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 10 A
Current - Collector Cutoff (Max) 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition 2MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power - Max 1.75 W
Supplier Device Package DPAK
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 8V @ 3.3A, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok