Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
NJVMJD122T4G-VF01
POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 8A, 10
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Seri / Aile Numarası
- NJVMJD122T4G
NJVMJD122T4G-VF01 Hakkında
NJVMJD122T4G-VF01, Rochester Electronics tarafından üretilen Surface Mount NPN Darlington power transistörüdür. 8A kolektör akımı ve 100V Vce(max) ile tasarlanmış bu bileşen, 1.75W güç disipasyonuna kapaklıdır. TO-252-3 (DPak) kasa tipinde sunulan transistör, -65°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. 4A/4V koşullarında 1000 minimum DC akım kazancı ve 4V @ 8A/80mA doyum voltajı ile karakterize edilmiştir. Motor kontrolü, güç anahtarlaması, DC-DC dönüştürücü uygulamaları ve endüstriyel kontrol devreleri gibi yüksek akımlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 8 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 4A, 4V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.75 W |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Transistor Type | NPN - Darlington |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 4V @ 8A, 80mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok