Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
NJVMJD117T4G
TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
NJVMJD117T4G Hakkında
NJVMJD117T4G, onsemi tarafından üretilen PNP Darlington transistörüdür. TO-252-3 (DPak) SMD paketinde sunulan bu bileşen, 100V maksimum collector-emitter gerilimi ve 2A collector akımı ile çalışabilir. 1000 minimum DC current gain (hFE) değeri ile güç yönetimi ve sinyal anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 25MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama işlemlerine uygun tasarlanmıştır. -65°C ile +150°C sıcaklık aralığında stabil çalışan transistör, endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüleri, güç anahtarlaması ve sinyal amplifikasyon uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 20µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 2A, 3V |
| Frequency - Transition | 25MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.75 W |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Transistor Type | PNP - Darlington |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 40mA, 4A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok