Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
NJVMJD112T4G
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
NJVMJD112T4G Hakkında
NJVMJD112T4G, onsemi tarafından üretilen NPN Darlington transistördür. 100V kolektör-emiter breakdown voltajı ve maksimum 2A kolektör akımı ile çalışan bu komponent, 20W güç sınırlaması içinde tasarlanmıştır. 1000'in üzerinde DC akım kazancı (hFE) özelliği sayesinde düşük baz akımı gerektiren uygulamalarda kullanılabilir. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan transistör, -65°C ile +150°C arasında çalışır. Endüstriyel kontrol sistemleri, anahtarlama devreleri, güç amplifikatörleri ve motor sürücüleri gibi uygulamalarda tercih edilir. 25MHz geçiş frekansı ile orta hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 20µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 2A, 3V |
| Frequency - Transition | 25MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 20 W |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Transistor Type | NPN - Darlington |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 40mA, 4A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok