Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
NJVMJD112G
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK-4
NJVMJD112G Hakkında
NJVMJD112G, onsemi tarafından üretilen NPN Darlington transistördür. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu komponent, 100V kollektör-emiter gerilim ile 2A maksimum kollektor akımını destekler. 1000'in üzerinde DC akım kazancı (hFE) ve 25MHz transition frekansı ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Maksimum 1.75W güç dissipasyonu kapasitesi ile düşük güç tüketimli devreler için uyygundur. -65°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. Endüstriyel kontrol, motor sürücü, güç yönetimi ve sinyal amplifikasyon uygulamalarında tercih edilir. Surface mount montajı ile kompakt PCB tasarımlarına uyum sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 20µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 2A, 3V |
| Frequency - Transition | 25MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.75 W |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Transistor Type | NPN - Darlington |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 40mA, 4A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok