Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
NJVMJB44H11T4G
POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 10A, N
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Seri / Aile Numarası
- NJVMJB44H11T4G
NJVMJB44H11T4G Hakkında
NJVMJB44H11T4G, Rochester Electronics tarafından üretilen yüksek akım NPN güç transistörüdür. TO-263 D²Pak paketinde sunulan bu komponent, 10A maksimum kolektör akımı ve 80V C-E breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Maksimum 2W güç dissipasyonu kapasitesi, -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında stabilite sağlar. 50MHz transition frequency ile anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde uygulanabilir. 1V saturation voltajı ve 40 minimum hFE (4A, 1V'te) karakteristikleri, anahtarlama hızı ve verim gerektiren endüstriyel kontrol, motor sürüş ve güç yönetimi devrelerinde yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 10 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 4A, 1V |
| Frequency - Transition | 50MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2 W |
| Supplier Device Package | D²PAK |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 400mA, 8A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok