Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
NJVMJB41CT4G
POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 6A, 10
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Seri / Aile Numarası
- NJVMJB41CT4G
NJVMJB41CT4G Hakkında
NJVMJB41CT4G, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN tipi güç bipolar transistörüdür. 6A collector akımına kadar çalışabilen bu transistör, 10V nominal gerilim ile tasarlanmıştır. Surface mount D²Pak (TO-263-3) paketinde sunulan bileşen, 2W maksimum güç yönetebilir. 15 minimum DC akım kazancı (hFE) ile orta seviye amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 3MHz transition frekansı ile ses frekansı ve düşük frekans uygulamalarında tercih edilir. Geniş çalışma sıcaklığı aralığı (-65°C ~ 150°C) sayesinde endüstriyel ortamlarda da uygulanabilir. Güç yönetimi, motor denetimi, switch uygulamaları ve amplifikasyon devrelerinde yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector Cutoff (Max) | 700µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 15 @ 3A, 4V |
| Frequency - Transition | 3MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2 W |
| Supplier Device Package | D²PAK |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 600mA, 6A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok