Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

NJD35N04T4G

TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
NJD35N04T4G

NJD35N04T4G Hakkında

NJD35N04T4G, onsemi tarafından üretilen yüksek voltaj NPN Darlington transistörüdür. 350V collector-emitter breakdown voltajı ve 4A maksimum collector akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 45W maksimum güç dağıtım kapasitesi ve 2000 minimum DC current gain (hFE) ile kontrol devrelerinde ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Surface mount DPAK (TO-252-3) paketinde sunulan bileşen, -65°C ile 150°C arasında çalışır. Motor kontrol, güç kaynakları, ışık denetleme ve endüstriyel otomasyon gibi alanlarda yaygın olarak uygulanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 4 A
Current - Collector Cutoff (Max) 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 2000 @ 2A, 2V
Frequency - Transition 90MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power - Max 45 W
Supplier Device Package DPAK
Transistor Type NPN - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 20mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 350 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok