Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
NHDTC143ZTVL
NHDTC143ZT/SOT23/TO-236AB
NHDTC143ZTVL Hakkında
NHDTC143ZTVL, Nexperia tarafından üretilen NPN tipinde ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. TO-236-3 (SOT-23) paketinde sunulan bu komponent, entegre base ve emitter dirençleri ile standart BJT'lere kıyasla basitleştirilmiş devre tasarımı sağlar. 100 mA maksimum collector akımı, 80 V breakdown voltajı ve 170 MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Entegre 4.7 kΩ base direnci (R1) ve 47 kΩ emitter-base direnci (R2) ile, sinyal kuvvetlendirme, lojik seviye çevirme ve RF uygulamalarında tercih edilir. 250 mW maksimum güç harcaması ile düşük güç tüketimli elektronik devrelere uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 170 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 250 mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | TO-236AB |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok