Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

NHDTC123JTVL

NHDTC123JT/SOT23/TO-236AB

Üretici: Nexperia
Paket/Kılıf: TO-236-3
Kategori: Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
Seri / Aile Numarası: NHDTC123JT

NHDTC123JTVL Hakkında

NHDTC123JTVL, Nexperia tarafından üretilen NPN ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. TO-236-3 (SOT-23) yüzey montajlı paketinde sunulan bu komponent, entegre baz dirençleri (2.2 kOhms) ve emitter baz direnci (47 kOhms) içerir. 100 mA maksimum kollektör akımı, 170 MHz geçiş frekansı ve 80V kollektör-emitter açılma gerilimi ile düşük güçlü sinyal amplifikasyon ve anahtarlama uygulamalarına uygundur. 250 mW maksimum güç dağılımı kapasitesi ve 100 minimum DC akım kazancı (hFE) ile tüketici elektroniği, ses amplifikasyonu ve RF uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre	Değer
Current - Collector (Ic) (Max)	100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)	100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition	170 MHz
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status	Active
Power - Max	250 mW
Resistor - Base (R1)	2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)	47 kOhms
Supplier Device Package	TO-236AB
Transistor Type	NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	100mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	80 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok