Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
NHDTC123JTR
NHDTC123JT/SOT23/TO-236AB
NHDTC123JTR Hakkında
NHDTC123JTR, Nexperia tarafından üretilen NPN tipi ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. TO-236-3 (SOT-23) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, entegre base ve emitter dirençleri (sırasıyla 2.2 kΩ ve 47 kΩ) ile birlikte gelir. Maksimum 100 mA kolektör akımı, 250 mW güç dağıtımı kapasitesi ve 170 MHz transition frequency ile çalışır. Vce doyum voltajı 100 mV'dir. 80 V collector-emitter breakdown voltajı ile gerilim kapasitesi sunar. Anahtarlama uygulamaları, sinyal amplifikasyonu ve logic kontrol devreleri gibi düşük güç elektronik uygulamalarında kullanılan ekonomik bir çözümdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 170 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 250 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | TO-236AB |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok