Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

NHDTC114ETVL

NHDTC114ET/SOT23/TO-236AB

Üretici: Nexperia
Paket/Kılıf: TO-236-3
Kategori: Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
Seri / Aile Numarası: NHDTC114ET

NHDTC114ETVL Hakkında

NHDTC114ETVL, Nexperia tarafından üretilen NPN tipinde ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. Entegre 10kΩ base ve emitter-base direnç ağlarına sahip olup, küçük sinyal amplifikasyon ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Maksimum 100mA collector akımı, 80V Vce(br) ve 250mW güç dağıtımı kapasitesi ile genel amaçlı düşük güçlü devreler, sensör arayüzleri, lojik seviye dönüştürme ve hafif yükler için uygun bir bileşendir. Surface mount SOT-23-3 paketinde sunulur.

Teknik Özellikler

Parametre	Değer
Current - Collector (Ic) (Max)	100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)	100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition	170 MHz
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status	Active
Power - Max	250 mW
Resistor - Base (R1)	10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)	10 kOhms
Supplier Device Package	TO-236AB
Transistor Type	NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	100mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	80 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok