Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
NHDTC114ETR
NHDTC114ET/SOT23/TO-236AB
NHDTC114ETR Hakkında
NHDTC114ETR, Nexperia tarafından üretilen NPN tipi ön beslemeli bipolar transistördür. SOT-23 (TO-236-3) yüzey montajlı paketinde sunulan bu komponent, entegre base ve emitter resistörlerine sahip olup (her biri 10 kΩ), doğrudan lojik devrelerine bağlanabilir. 100 mA kolektör akımı, 170 MHz transition frekansı ve 80 V breakdown voltajı ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 250 mW maksimum güç tüketimi ile tasarlanan NHDTC114ETR, özellikle sinyal işleme, lojik seviye dönüştürme ve genel amaçlı switching uygulamalarına uygun bir komponenttir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 170 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 250 mW |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | TO-236AB |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok