Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
NHDTA123JTVL
NHDTA123JT/SOT23/TO-236AB
NHDTA123JTVL Hakkında
NHDTA123JTVL, Nexperia tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. TO-236-3/SOT-23 yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, maksimum 100 mA kolektör akımı ve 150 MHz transition frekansı ile çalışabilir. Entegre edilmiş 2.2 kΩ baz ve 47 kΩ emitter-baz dirençleri sayesinde harici biyaslandırma devresi gerektirmez. 250 mW maksimum güç dağılımına sahip olan komponent, 80 V kolektör-emitter kırılma gerilimi ile çalışır. Anahtarlama uygulamaları, darbe genişliği modülasyonu (PWM) kontrolü, sinyal amplifikasyonu ve genel dijital/analog arayüz devreleri için kullanılır. Active status ile tedarik edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 150 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 250 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | TO-236AB |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok