Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
NHDTA123JTR
NHDTA123JT/SOT23/TO-236AB
NHDTA123JTR Hakkında
NHDTA123JTR, Nexperia tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) transistördür. TO-236-3/SOT-23-3 yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, entegre baz dirençleri (R1: 2.2kΩ, R2: 47kΩ) ile doğrudan kullanıma hazır haldedir. Maksimum 100mA kolektör akımı, 150MHz geçiş frekansı ve 80V çökertme gerilimi ile anahtarlama ve sinyal işleme uygulamalarında yer alır. 250mW güç dağıtma kapasitesi ile düşük güçlü devreler, lojik seviyeleri ayarlama, LED sürücüleri ve ses sinyali yönetiminde kullanılabilir. Düşük kesme akımı (100nA max) ve 100mV doyum gerilimi sabit çalışma koşullarını sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 150 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 250 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | TO-236AB |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok