Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
NHDTA114YTVL
NHDTA114YT/SOT23/TO-236AB
NHDTA114YTVL Hakkında
NHDTA114YTVL, Nexperia tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli bipolar junction transistördür (BJT). SOT-23 (TO-236AB) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, entegre R1 (10 kΩ) ve R2 (47 kΩ) ön beslemesi dirençleri içerir. 100 mA maksimum kolektör akımı ve 100 @ 10mA, 5V minimum DC akım kazancı (hFE) ile çalışan bu transistör, 150 MHz geçiş frekansında ve 250 mW maksimum güç derecelemesinde tasarlanmıştır. 80 V maksimum kolektör-emitör kırılma gerilimi ve 100 mV maksimum doyum gerilimi (Vce) ile karakterize edilir. Anahtarlama uygulamaları, amplifikasyon devreleri, sinyal işleme ve genel amaçlı lojik uygulamalarında kullanılır. Ön beslemeli konfigürasyonu sayesinde harici ön beslemeli dirençleri gerektirir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 150 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 250 mW |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | TO-236AB |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok