Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

NHDTA114YTR

NHDTA114YT/SOT23/TO-236AB

Üretici
Nexperia
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
NHDTA114Y

NHDTA114YTR Hakkında

NHDTA114YTR, Nexperia tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) transistördür. TO-236-3 (SOT-23) SMD paketinde sunulan bu komponent, kollektör akımı maksimum 100 mA ve 250 mW güç yeteneğine sahiptir. Dahili 10 kΩ taban direnci ve 47 kΩ emitter-taban direnci ile önceden yapılandırılmıştır. 100 MHz'lik transition frequency ve 80V kollektör-emitter breakdown voltajı ile düşük sinyal uygulamalarında, anahtarlama devrelerinde ve lojik seviye dönüştürme uygulamalarında kullanılır. Kompakt boyutu ve entegre direnç yapısı sayesinde PCB alanı tasarrufu sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition 150 MHz
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 250 mW
Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 47 kOhms
Supplier Device Package TO-236AB
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 100mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok