Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
NHDTA114ETVL
NHDTA114ET/SOT23/TO-236AB
NHDTA114ETVL Hakkında
NHDTA114ETVL, Nexperia tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli bipolar transistördür. TO-236-3 (SOT-23) yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, entegre base ve emitter dirençleriyle (10 kΩ) donatılmıştır. 100 mA kollektor akımı, 150 MHz geçiş frekansı ve 80 V çökme gerilimi ile çalışır. 250 mW güç kapasitesi ve 100 mV doyma gerilimi özellikleriyle düşük seviye sinyal kontrol uygulamalarında, anahtarlama devreleri ve lojik arayüz devrelerinde kullanılır. Kompakt paketi sayesinde yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 150 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 250 mW |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | TO-236AB |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok