Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
NHDTA114ETR
NHDTA114ET/SOT23/TO-236AB
NHDTA114ETR Hakkında
NHDTA114ETR, Nexperia tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. SOT-23 (TO-236-3) yüzeye monte paketinde sunulan bu bileşen, entegre baz ve emitter dirençleri (her biri 10 kOhms) ile IC tasarımlarında geçiş hızını artırmak ve lojik devre uygulamalarını basitleştirmek için tasarlanmıştır. 100 mA maksimum kollektör akımı, 80 V maksimum VCE(BR)O darbesi gerilimine ve 150 MHz transition frekansına sahiptir. 250 mW güç derecelemesi ile küçük sinyal anahtarlama, darbe oluşturma ve lojik seviye dönüştürme uygulamalarında kullanılır. Düşük collector cutoff akımı (100 nA) sayesinde enerji verimli tasarımlara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 150 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 250 mW |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | TO-236AB |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok