Transistörler - IGBT - Tekil
NGTD30T120F2WP
IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NGTD30T120F2WP
NGTD30T120F2WP Hakkında
NGTD30T120F2WP, onsemi tarafından üretilen 1200V Trench Field Stop IGBT transistördür. Die (ölçek) formunda sunulan bu bileşen, 200A pulslu kolektör akımı kapasitesine sahiptir. Maksimum VCE(on) değeri 15V gate voltajında 40A akımda 2.4V olarak belirlenmiştir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilen bu transistör, güç dönüştürme uygulamalarında, invertörler ve anahtarlama devrelerinde tercih edilir. Standard giriş tipine sahip olan bileşen, yüksek gerilim uygulamaları için tasarlanmıştır. Ürün, yerleşik yüksek akım kapasitesi ve düşük açılma gerilimi karakteristikleri ile bilgisayar güç kaynakları, endüstriyel sürücüler ve enerji dönüştürme sistemlerinde kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 200 A |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | Die |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 40A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok