Transistörler - IGBT - Tekil

NGTD30T120F2SWK

IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
Die
Seri / Aile Numarası
NGTD30T120F2

NGTD30T120F2SWK Hakkında

NGTD30T120F2SWK, onsemi tarafından üretilen Trench Field Stop tipi IGBT transistördür. 1200V desen yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Die form faktöründe sunulan bu komponent, 200A pulse collector akımı ve 2.4V (15V gate geriliminde, 40A collector akımında) maksimum açık durum gerilimi (Vce(on)) ile çalışır. -55°C ile 175°C sıcaklık aralığında denenmiştir. Endüstriyel güç dönüştürme, motor kontrol ve anahtarlama uygulamalarında kullanılan yüksek verimli anahtarlama elemanıdır. Trench Field Stop yapısı düşük kayıplar ve hızlı anahtarlama performansı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector Pulsed (Icm) 200 A
IGBT Type Trench Field Stop
Input Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case Die
Part Status Obsolete
Supplier Device Package Die
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok